特許
J-GLOBAL ID:200903056510690410

マイクロクラスターによるナノ構造およびその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工業技術院名古屋工業技術研究所長
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-271898
公開番号(公開出願番号):特開2001-098372
出願日: 1999年09月27日
公開日(公表日): 2001年04月10日
要約:
【要約】【課題】 マイクロクラスターによるナノ構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】 イオンビームスパッタ法により生成させ、質量を選別した後にヘリウムガスとの多重衝突による冷却により、その並進エネルギー幅を0.4eV以下に狭くした、単一サイズの金属、半導体等のマイクロクラスターイオンを高配向性グラファイト(HOPG)等の基板表面にエネルギーを厳密に制御して加速して打ち込み、基板シート内に固定化し、それによって単一サイズマイクロクラスターのナノ構造を作ることを特徴とする、ナノ構造作製方法、及びこの方法によって作製した銀のナノ構造薄膜。
請求項(抜粋):
イオンビームスパッタ法により生成させ、質量を選別した後にヘリウムガスとの多重衝突による冷却により、その並進エネルギー幅を0.4eV以下に狭くした、単一サイズの金属、半導体等のマイクロクラスターイオンを基板表面にエネルギーを厳密に制御して加速して打ち込み、基板シート内に固定化し、それによって単一サイズマイクロクラスターのナノ構造を作ることを特徴とする、ナノ構造作製方法。
IPC (3件):
C23C 14/46 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/203
FI (3件):
C23C 14/46 Z ,  B01J 19/00 K ,  H01L 21/203 M
Fターム (23件):
4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC03 ,  4G075BC08 ,  4G075CA39 ,  4G075DA18 ,  4G075FC13 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA04 ,  4K029BB01 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC37 ,  5F103AA07 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD28 ,  5F103GG10 ,  5F103HH10 ,  5F103LL17 ,  5F103RR04
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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