特許
J-GLOBAL ID:200903056517518590

選ばれた触媒が加えられたエッチング剤を用いるシリコンの異方性エッチングの制御

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-128454
公開番号(公開出願番号):特開平5-160109
出願日: 1992年05月21日
公開日(公表日): 1993年06月25日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】シリコンウエハーの(100)結晶面を異方性エッチングするための改良された方法。【構成】環上に1つの極性官能基と少なくとも2つの隣接ヒドロキシル基とをもつ芳香族系化合物、アミン、水、および置換1,4-ジアジンを含んだエッチング溶液中にウエハーを漬ける。このエッチング液は時間当り約100μを越す速度でシリコンをエッチングするのに有効である。時間当り約150μまでまたはさらに大きな速度で高度の均一性をもった高品質のエッチングを達成することができる。
請求項(抜粋):
シリコンをエッチング液と接触させることからなるシリコンの迅速エッチング法であって、このエッチング液は環上に少なくとも2つの隣接ヒドロキシル基と1つの極性官能基とをもつ芳香族系化合物、アミン、水、および触媒量の置換1,4-ジアジンとから構成され、そしてこのエッチング液は時間当り約100μを越す速度でシリコンをエッチするのに効果的なものである、シリコンの迅速エッチング方法。
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-126227
  • 特公昭55-035466

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