特許
J-GLOBAL ID：200903056520312413
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063966
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ウェーハのワレ、カケ、スリップ、パーティクル等を防止でき、均一性に優れた膜厚を形成できる気相成長装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの形状に合致するよう凹陥され半導体ウェーハの周辺部を載置支持する庇状のウェーハ載置部20を有する回転可能なサセプタ5と、ウェーハ載置部上に載置される半導体ウェーハの下面中心位置から所定半径領域を加熱する第1ヒータ8と、ウェーハ載置部20の下位にあって半導体ウェーハの周辺をウェーハ載置部を介して間接加熱する第2ヒータ9とを備え、ウェーハ載置部におけるオリエンテーションフラット部6aが位置するオリエンテーションフラット載置部20aを、このオリエンテーションフラット載置部以外のウェーハ載置部の部分に比べて熱容量がより小さくなるように形成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハ上に気相成長させる気相成長装置であって、オリエンテーションフラット部が形成された半導体ウェーハの形状に合致するよう凹陥され半導体ウェーハの周辺部を載置支持する庇状のウェーハ載置部を有する回転可能なサセプタと、前記ウェーハ載置部上に載置される半導体ウェーハの下面中心位置から所定半径領域を加熱する第1ヒータと、前記ウェーハ載置部の下位にあって半導体ウェーハの周辺を前記ウェーハ載置部を介して間接加熱する第2ヒータとを備え、前記ウェーハ載置部における前記オリエンテーションフラット部が位置するオリエンテーションフラット載置部を、このオリエンテーションフラット載置部以外の前記ウェーハ載置部の部分に比べて熱容量がより小さくなるように形成したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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