特許
J-GLOBAL ID：200903056521205696
バイポーラトランジスタを有する半導体デバイスを製造する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沢田 雅男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570829
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525851
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：
【要約】【課題】 より単純で、かつそれにもかかわらず少なくとも同じ品質のトランジスタを与える方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、ベース(1A)、エミッタ(2)およびコレクタ(3)を有し、ベース(1A)が、それが(単結晶)ベース(1A)を形成している半導体基体(10)の単結晶部分(3)と局所的に接する、不純物が添加された半導電性層(1)を設けることにより形成されていて、そして半導電性層(1)が、それがベース(1A)の(非単結晶)接続領域(1B)を形成している半導体基体(10)の非単結晶部分(4,8)に、当該単結晶部分の外側で、接している、いわゆる差動バイポーラトランジスタの製造に関する。本発明の方法の場合、多結晶層(4)は、電気絶縁領域(8)を形成するのに使用されるマスク(20)を用いて、電気絶縁領域(8)に選択的に設けられる。この方法は、既知の方法より面倒でない。加えて、最終的に得られるトランジスタは優れた特性を有し、そしてそれらの寸法を非常に小さくすることができる。絶縁領域(8)(好ましくは、酸化物で満たされた溝(8))の製造および多結晶層(4)を絶縁領域に選択的に適用するプロセスの両方において、その後に化学機械的研摩ステップが続く堆積ステップを使用することが好ましい。
請求項（抜粋）：
ベース、エミッタとコレクタを含むバイポーラトランジスタを有する半導体基体を有する半導体デバイスを製造する方法であって、 当該ベースを、単結晶であってかつ前記トランジスタの前記ベースを構成する、第一半導体領域を形成する前記半導体基体の単結晶部分に局所的に接する、不純物が添加された半導電性層を前記半導体基体に設けることにより、形成し、そして それが、単結晶ではなくかつ前記ベースの接続領域を構成する第二半導体領域を形成する前記半導体基体の非単結晶部分に、その半導電層が、当該ベースの外側で接し、 前記半導体基体の前記非単結晶部分が、前記半導体基体をマスクでおおい、かつこれのいずれかの側で、前記半導体基体の一部分を電気絶縁領域により置換し、そして前記半導電性層の形成前に、多結晶半導電性層を前記電気絶縁領域に設けることにより得られる、半導体デバイスを製造する方法において、 前記電気絶縁領域の形成に前記マスクを使用して、前記多結晶層を、前記電気絶縁領域に選択的に設けることを特徴とする半導体デバイスを製造する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/732
5F003BA96
, 5F003BB07
, 5F003BB08
, 5F003BE07
, 5F003BE08
, 5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BJ04
, 5F003BM01
, 5F003BP93
, 5F003BS05
, 5F003BS06
, 5F003BS08
