特許
J-GLOBAL ID：200903056521636484
MOSFET電力増幅器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309685
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142940
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 無効貫通電流の減少とクロスオーバ歪の減少を達成できるオフセットを行なった電力増幅器を提供すること。【構成】 電力出力段5がCMOS構成でなるプッシュプル型のMOSFET電力増幅器において、電力出力段5の直前にオフセット段6、7を設け、その電力出力段5のMOSFETのゲート電圧バイアスを行なう。
請求項（抜粋）：
電力出力段がCMOS構成からなるプッシュプル型のMOSFET電力増幅器において、上記電力出力段の前段にオフセット段を設け、該オフセット段の前段に入力信号を増幅する増幅段を設け、上記オフセット段において上記電力出力段のMOSFETのゲートバイアス電圧を設定するようにしたことを特徴とするMOSFET電力増幅器。
IPC (6件)：
H03F 3/30
, H03F 3/34
, H03F 3/345
, H03F 3/45
, H03K 17/16
, H03K 17/687
