特許

J-GLOBAL ID：200903056524218195

光電変換装置

発明者： 亀島 登志男
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-110061
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314754
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 容量素子の過電圧による画素の欠陥などにより装置全体が故障することがなく、また、入射光量が極度に強められた場合にも残像などの影響がない光電変換装置を提供する。【解決手段】 光電変換素子1と、前記光電変換素子に接続され前記光電変換素子で発生した電荷を蓄積する容量3とから成る画素を有する光電変換装置において、前記容量3に接続され、該容量の過電圧を制限する過電圧保護手段5と、該過電圧保護手段に接続され、前記制限する電圧を設定する電圧設定手段6と、を有し、前記過電圧保護手段6により、前記容量3の電位が、予め前記電圧設定手段6で設定された電位を超えないようにすることを特徴とする光電変換装置。

請求項（抜粋）：

光電変換素子と、前記光電変換素子に接続され前記光電変換素子で発生した電荷を蓄積する容量とから成る画素を有する光電変換装置において、前記容量に接続され、該容量の過電圧を制限する過電圧保護手段と、該過電圧保護手段に接続され、前記制限する電圧を設定する電圧設定手段と、を有し、前記過電圧保護手段により、前記容量の電位が、予め前記電圧設定手段で設定された電位を超えないようにすることを特徴とする光電変換装置。

IPC (10件)：

H04N 1/028 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 ,  G01T 1/20

FI (10件)：

H04N 1/028 A ,  G01T 1/00 B ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  G01T 1/20 E ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/10 G

Fターム (60件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ35 ,  2G088KK40 ,  2G088LL12 ,  2G088LL30 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5C024AX01 ,  5C024AX11 ,  5C024CY00 ,  5C024EX00 ,  5C024GX18 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DB14 ,  5C051DB18 ,  5C051DC02 ,  5C051DC03 ,  5C051DC07 ,  5C051DE03 ,  5F049MB05 ,  5F049NA17 ,  5F049NB05 ,  5F049UA20 ,  5F049WA07 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088AB05 ,  5F088AB09 ,  5F088BA10 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088KA08 ,  5F088KA10 ,  5F088LA07