半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152529
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】従来より高集積化ができる構造の半導体装置を提供する。【構成】半導体基板31の表面に少なくとも半導体素子33を設けてあり、裏面に少なくとも半導体素子、配線及びボンディングパッドで構成される部品群から選ばれた1種以上の部品例えばボンディングパッド37を設けてある。さらに半導体基板31に、貫通孔39と、基板表面に設けた半導体素子33と、基板裏面に設けてあるボンディングパッドと37間を接続するための、前記貫通孔を経由している配線41とを設けてある。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面及び裏面の一方側に少なくとも半導体素子を設けてあり、他方側に少なくとも半導体素子、配線及びボンディングパッドで構成される部品群から選ばれた1種以上の部品を設けてあり、必要に応じ、前記半導体基板に、貫通孔と、前記一方の面側に設けてある前記半導体素子及び他方の面側に設けてある部品間を接続するための、前記貫通孔を経由している配線とを設けてあることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-246259
特開平1-128562
特開平4-240763

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