特許
J-GLOBAL ID：200903056528335994
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347419
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明は高集積可能な微細化に適した半導体記憶装置を給するため、選択トランジスタを小さくしても情報を保持する電荷の減衰を引き起こさないメモリセルを可能とすることにある。【構成】 メモリセルをワード線200をゲートとするMOSFETによる選択トランジスタと絶縁分離されたエミッタ電極をもつバイポーラトランジスタによる書込素子および選択トランジスタのチャネル部に電界効果をあたえる絶縁層に覆われた蓄積電極600により構成する。【効果】 蓄積電極の電荷は選択トランジスタおよび書込素子を同時に動作させたとき(書込時)以外では絶縁膜によりリークが妨げられるため、選択トランジスタを小さくしても、良好な電荷保持特性を維持することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタからなる選択トランジスタと、キャリアの持つ電荷により情報を保持する記憶部からなる半導体記憶装置において、該記憶部が絶縁物で囲まれ、かつ、該記憶部の電荷量を変化させる該絶縁物に接する基板および導電型の異なるPN接合を有する電極からなる書込素子を持つことを特長とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
