特許
J-GLOBAL ID：200903056529973072
ガス導入管及びこれを用いた薄膜成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027594
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228362
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 仕切り板および側壁の変形やズレが発生することなく複数層のガス放出口の開口高さを十分低くし、かつ仕切り板を薄くすることができるガス導入管を提供し、少ない原料ガス流量で十分扁平した複数層の層流を得る。【解決手段】 本発明のガス導入管は、中空体の一端部に備えたガスの導入口17a,17bから他端部に備えたガスの放出口16a,16bに至るガス通路10a,10bを複数積層したガス導入管11であって、複数のガス通路10a,10bが、金属製の天板12及び底板13と、天板12及び底板13の間に挟み込まれた金属製の複数の側壁体14a,14bと、側壁体14a,14bの間に挟み込まれた金属製の仕切板15とに囲まれ形成される空間がある構成とした。
請求項（抜粋）：
中空体の一端部に備えたガスの導入口から他端部に備えたガスの放出口に至るガス通路を複数積層したガス導入管であって、前記複数のガス通路が、金属製の天板及び底板と、同天板及び底板の間に挟み込まれた金属製の複数の側壁体と、同側壁体の間に挟み込まれた金属製の仕切板とに囲まれ形成される空間であることを特徴とするガス導入管。
Fターム (15件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045DP04
, 5F045EB02
, 5F045EC09
, 5F045EE20
, 5F045EF01
, 5F045EF08
, 5F045EF11
, 5F045EJ01
, 5F045EJ09
