特許

J-GLOBAL ID：200903056531979886

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小林 睦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012405
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203351
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板にポケット領域を形成する場合に、ソース・ドレイン用拡散領域と半導体基板間の接合容量を増大させることなく、短チャネル効果を抑制する。【解決手段】 異なる注入エネルギーで、異なる注入ドーズ量の斜めイオン注入を少なくとも2回以上行うことで、ソース・ドレイン用拡散領域8の側面では不純物の濃度が高い第1ポケット領域1061と、底面で濃度が低い第2ポケット領域1062の2種類のポケット領域を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、前記半導体基板中の前記ゲート電極の両側位置に形成された第1導電型のソース・ドレイン用拡散領域と、前記ゲート電極端部下の前記半導体基板中の表面近傍でかつ前記ソース・ドレイン用拡散領域の側面に接して形成された第1導電型のエクステンション領域と、前記エクステンション領域の底面に接し、かつ前記ソース・ドレイン用拡散領域の側面の一部を覆う第2導電型で高不純物濃度の第1のポケット領域と、前記第1のポケット領域の底面に接し、かつ前記ソース・ドレイン用拡散領域の側面の残部および底面部を覆う第2導電型で低不純物濃度の第2のポケット領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 604 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 604 V ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 L

Fターム (15件)：

5F040DA06 ,  5F040DA12 ,  5F040DA18 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EF01 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040EM01 ,  5F040EM02 ,  5F040EM03 ,  5F040FA05 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC13