特許

J-GLOBAL ID：200903056532859841

半導体装置およびその製造方法

発明者： 斉藤 直樹 ,  小林 昇市
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立米沢電子株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317344
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124596
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 充分なスタンドオフを容易に確保し、かつ電極パッドのはんだぬれ性を向上させることによって、接続信頼性を大幅に向上させる。【解決手段】 ノンリード表面実装の1つであるP-VQFNの半導体装置1に設けられた外部電極8には、電極部8aの上面と下面(パッケージ7の実装面側とその反対面側)に銅(Cu)などの金属による金属めっき層8b、およびはんだによるはんだめっき層8cがそれぞれ形成されている。これら金属めっき層8b、はんだめっき層8cによって充分な初期スタンドオフが確保されることになり、半導体装置1の実装時におけるはんだリフローなどの際にも、熱により溶融しない金属めっき層8bを有することによって異物介入によるパッケージ7の傾きマージンを大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

外部信号が入出力される複数の外部電極が、半導体チップが樹脂封止されて形成された封止部の実装面に露出して形成された半導体装置であって、前記外部電極が、前記半導体チップの表面電極と接続部材を介して接続される電極部と、前記電極部の露出面に形成された金属皮膜層と、前記金属皮膜層に積層して形成されたはんだ皮膜層とよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/50 K

Fターム (6件)：

5F067AB04 ,  5F067BC00 ,  5F067DC12 ,  5F067DC16 ,  5F067DD01 ,  5F067DD05