特許
J-GLOBAL ID:200903056534111127

ナノチューブ成長用の安定な触媒の製造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 桑垣 衛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-548626
公開番号(公開出願番号):特表2008-525183
出願日: 2006年02月17日
公開日(公表日): 2008年07月17日
要約:
触媒(20)を調製するためのプロセス(40)を提供する。触媒(20)は基板(12)の上に形成される。水素及び炭素を含むガス(24)が触媒(20)に接触させられ、炭素シード層(26)が触媒(20)上に形成される。次いで、炭素シード層(26)をその上に有する触媒(20)から、カーボンナノチューブ(28)が成長させられる。
請求項(抜粋):
カーボンナノチューブ成長用の触媒を調製するための方法であって、 触媒に水素及び炭素を含むガスを受けさせる工程と、 触媒上に炭素シード層を形成する工程と、からなる方法。
IPC (5件):
B01J 37/16 ,  C01B 31/02 ,  B01J 23/755 ,  B01J 37/08 ,  B01J 37/00
FI (5件):
B01J37/16 ,  C01B31/02 101F ,  B01J23/74 321M ,  B01J37/08 ,  B01J37/00 Z
Fターム (30件):
4G146AA05 ,  4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02A ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BB02B ,  4G169BC68B ,  4G169BD01C ,  4G169BE01C ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15X ,  4G169ED05 ,  4G169EE10 ,  4G169FB44 ,  4G169FC04 ,  4G169FC07

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