特許
J-GLOBAL ID:200903056534111127
ナノチューブ成長用の安定な触媒の製造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
桑垣 衛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-548626
公開番号(公開出願番号):特表2008-525183
出願日: 2006年02月17日
公開日(公表日): 2008年07月17日
要約:
触媒(20)を調製するためのプロセス(40)を提供する。触媒(20)は基板(12)の上に形成される。水素及び炭素を含むガス(24)が触媒(20)に接触させられ、炭素シード層(26)が触媒(20)上に形成される。次いで、炭素シード層(26)をその上に有する触媒(20)から、カーボンナノチューブ(28)が成長させられる。
請求項(抜粋):
カーボンナノチューブ成長用の触媒を調製するための方法であって、
触媒に水素及び炭素を含むガスを受けさせる工程と、
触媒上に炭素シード層を形成する工程と、からなる方法。
IPC (5件):
B01J 37/16
, C01B 31/02
, B01J 23/755
, B01J 37/08
, B01J 37/00
FI (5件):
B01J37/16
, C01B31/02 101F
, B01J23/74 321M
, B01J37/08
, B01J37/00 Z
Fターム (30件):
4G146AA05
, 4G146AA12
, 4G146AB06
, 4G146AB07
, 4G146AC02A
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC32A
, 4G146BC33A
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BB02B
, 4G169BC68B
, 4G169BD01C
, 4G169BE01C
, 4G169CB81
, 4G169DA06
, 4G169EA08
, 4G169EB15X
, 4G169ED05
, 4G169EE10
, 4G169FB44
, 4G169FC04
, 4G169FC07
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