特許

J-GLOBAL ID：200903056536142100

半導体装置の製造方法

発明者： 浦島 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292106
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126882
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体をエッチングする際のオーバーエッチングによる残渣の発生を防ぐことが困難であった。【解決手段】 下部電極4及び強誘電体膜5を順次形成した後、強誘電体膜5上に所定の形状のレジストパターン6を形成する。次に、レジストパターン6をマスクにドライエッチングにより、強誘電体膜5をエッチングする。次に、純水に浸すことにより、強誘電体膜5のエッチングの際に生じた生成物を除去する。次に、ヒドロキシルアミンを含む有機剥離剤に浸すことにより、ドライエッチングの際のオーバーエッチングによるPt膜のスパッタエッチによる堆積物14を除去する。

請求項（抜粋）：

金属膜上に形成された強誘電体膜をパターニングする工程を有する半導体装置の製造方法において、上記金属膜及び上記強誘電体膜を順次形成した後、該強誘電体膜上に所定の形状のレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクにドライエッチングにより、上記強誘電体膜をエッチングする工程と、少なくとも上記金属膜及び上記強誘電体膜を純水に浸すことにより、上記強誘電体膜のエッチングの際に生じる上記強誘電体膜とエッチングガスとの反応生成物を除去する工程と、少なくとも上記金属膜及び上記強誘電体膜をヒドロキシルアミンを含む有機剥離剤に浸すことにより、上記ドライエッチングの際のオーバーエッチングにより生じる上記金属膜とエッチングガスとの反応生成物を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  G03F 7/42 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 371