特許
J-GLOBAL ID：200903056536244361
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012101
公開番号（公開出願番号）：特開平5-203668
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、実装が容易で特性のばらつきの少ない加速度センサを提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法では、所定の面方位をもつシリコン基板の{100}面または{110}面から所定の角度だけ傾いた方向にトレンチを形成し、このトレンチの所定の深さまでマスクで被覆した状態で、{111}面をエッチングストッパとする面方位依存性エッチングを行い、このトレンチの下方に{111}面で囲まれた一対のエッチング孔を形成し、隣接するエッチング孔の{111}面で囲まれた領域を片持ち梁とし、トレンチの上方領域で囲まれこの片持ち梁に連設された領域を被検出加速度が加わる質量部とし、該質量部の側方部に前記トレンチを隔てて形成されストッパとなる側壁部と、当該質量部及び側壁部の対向両面部に形成され被検出加速度に応じた前記質量部の変位を容量変化として検出するようにしている。
請求項（抜粋）：
基板表面から所定深さを有する一対のトレンチを所定間隔を隔てて形成した後、このトレンチの下方領域を面方位依存性エッチングして一対のエッチング孔を形成することで、前記半導体基板の表面から適宜の深さ位置に当該一対のエッチング孔で囲まれる片持ち梁と該片持ち梁の先端部に形成され被検出加速度が加わる質量部と、該質量部の側方部に前記トレンチを隔てて形成されストッパとなる側壁部と、当該質量部及び側壁部の対向両面部に形成され被検出加速度に応じた前記質量部の変位を容量変化として検出する半導体加速度センサを製造する方法において、所定の面方位をもつシリコン基板の{100}面または{110}面から所定の角度だけ傾いた方向に伸長するトレンチを形成するトレンチ形成工程と、形成したトレンチを所定の深さまでマスクで被覆した後、前記トレンチの被覆されていない下方領域から{111}面をエッチングストッパとする異方性エッチングを行い、この第1のトレンチの下方領域に{111}面で囲まれたエッチング孔を形成する面方位依存性エッチング工程とを含むことを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
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