特許

J-GLOBAL ID：200903056542534932

半導体基板の製造方法

発明者： 大橋 正典 ,  神戸 秀夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152304
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 デバイス活性領域付近にゲッタリング層を制御性良く形成できる半導体基板の製造方法を得んとするものである。【構成】 先ず、シリコンウエハ11の表面に、ドーズ量1×1014atm/cm3の高濃度条件で、カーボンをイオン注入する。このとき、イオン注入によって、シリコンウエハ11内に形成される高密度カーボン層(ゲッタリング層)のウエハ表面からの深さを、イオン注入エネルギー量の設定で、1μm程度の深さとなるようにする。次に、ウエハ表面に、エピキシャル層(Si)を10〜20μmの厚に成長させる。このようにして形成された半導体基板のエピタキシャル層に、素子を形成すれば、形成プロセス中あるいは形成後のゲッタ効果を良好に維持することが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に炭素をイオン注入して該表面から浅い位置にゲッタリング層を形成し、その後前記半導体ウエハの表面に半導体エピタキシャル層を成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法。