特許
J-GLOBAL ID:200903056545225299

単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 服部 平八
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-139669
公開番号(公開出願番号):特開平7-330483
出願日: 1994年05月31日
公開日(公表日): 1995年12月19日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】回転軸の廻りに型を回転させながら、該型内に二酸化珪素粉末を供給し、未溶融の石英ガラスルツボ基体を成形し、該基体内側にアークを熱源として高温ガス雰囲気を作り前記未溶融の石英ガラスルツボ基体を溶融ガラス化するとともに、さらに二酸化珪素粉末を前記石英ガラスルツボ基体のキャビティー内に少量づつ供給し、基体内表面上に飛散、融合させて透明石英ガラス層を堆積させる石英ガラスルツボの製造方法において、前記透明石英ガラス層の堆積速度を0.05〜0.20mm/分の範囲とする単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法。【効果】本発明では、バルク以上の高純度の透明石英ガラス層を有する石英ガラスルツボを製造でき、それを使用した引き上げられたシリコン単結晶は、アルミニウム元素、アルカリ金属元素、及びアルカリ土類金属元素等による悪影響がなく、半導体基板として優れたものである。
請求項(抜粋):
回転軸の廻りに型を回転させながら、該型内に二酸化珪素粉末を供給し、未溶融の石英ガラスルツボ基体を成形し、該基体内側にアークを熱源として高温ガス雰囲気を作り前記未溶融の石英ガラスルツボ基体を溶融ガラス化するとともに、さらに二酸化珪素粉末を前記石英ガラスルツボ基体のキャビティー内に少量づつ供給し、基体内表面上に飛散、融合させて透明石英ガラス層を堆積させる石英ガラスルツボの製造方法において、前記透明石英ガラス層の堆積速度を0.05〜0.20mm/分の範囲とすることを特徴とする単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法。
IPC (2件):
C30B 15/10 ,  C03B 20/00

前のページに戻る