特許

J-GLOBAL ID：200903056547450044

ナノ炭素物質及び電子放出源

発明者： 坪井 利行
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 大塚 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-040793
公開番号（公開出願番号）：特開2003-206118
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2003年07月22日
要約：

【要約】【課題】 活性の大きいナノ炭素物質を提供すること。【解決手段】 線状のナノ炭素物質は、重ねて巻回された複数のグラフェン層202〜205を有し、活性を有する複数の終端部206〜209が最外周部に露出している。

請求項（抜粋）：

重ねて巻回された複数のグラフェン層を有し、少なくとも2つの前記グラフェン層の終端部が最外周部に露出して成ることを特徴とするナノ炭素物質。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 ,  H01J 1/304

FI (2件)：

C01B 31/02 101 F ,  H01J 1/30 F

Fターム (3件)：

4G046CA00 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09