特許
J-GLOBAL ID:200903056549255923

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-235655
公開番号(公開出願番号):特開平5-055476
出願日: 1991年08月23日
公開日(公表日): 1993年03月05日
要約:
【要約】【目的】 半導体集積回路の素子で発生する内部熱の放熱効果を高めて、集積回路の動作速度を向上し、かつ集積回路の熱破壊を防止する。【構成】 半導体基板1に設けた素子2,3間に、素子で発生した熱を集積回路の周辺部に放散させる熱放散配線13を形成しており、この熱放散配線13は半導体基板の表面に設けた凹部8内に半導体基板よりも熱伝導率の高い物質10を充填した構成とする。この熱放散配線は、素子で発生した熱を、半導体基板よりも熱伝導率の高い物質を通して集積回路の外部に放熱させることができる。
請求項(抜粋):
半導体基板に設けた素子間に、素子で発生した熱を集積回路の周辺部に放散させる熱拡散配線を形成してなり、この熱拡散配線は前記半導体基板の表面に設けた凹部内に半導体基板よりも熱伝導率の高い物質を充填した構成としたことを特徴とする半導体集積回路。
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭50-063881
  • 特開昭49-029779

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