特許

J-GLOBAL ID：200903056549289917

透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜

発明者： 阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-077586
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275623
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング法を適用できる基板の範囲を広げ、安価なガラス基板やプラスチック樹脂フィルム等にも比抵抗が1.5×10-4Ω・cm以下の透明導電性薄膜を形成することができる新規な組成の透明導電性薄膜形成用ターゲット、その製造方法、及び該ターゲットより得られる透明導電性薄膜の提供。【解決手段】 酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化タングステンを含有し、酸化スズと酸化タングステンの割合が、各々、スズ/インジウム原子数比で0.030〜0.140、タングステン/インジウム原子数比で0.010〜0.110であり、かつスズとタングステンとが酸化インジウム中に実質的に均一に分散していることを特徴とする透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜により提供。

請求項（抜粋）：

酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化タングステンを含有し、酸化スズと酸化タングステンの割合が、各々、スズ/インジウム原子数比で0.030〜0.140、タングステン/インジウム原子数比で0.010〜0.110であり、かつスズとタングステンとが酸化インジウム中に実質的に均一に分散していることを特徴とする透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C04B 35/495 ,  H01B 5/14

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  H01B 5/14 A ,  C04B 35/00 R ,  C04B 35/00 J

Fターム (15件)：

4G030AA24 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10