特許
J-GLOBAL ID：200903056553394857
アモルフアス金属の形成方法及びアモルフアス金属膜を有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102147
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 残留ガス、不純物の取り込みの少ないアモルファス金属膜を形成する。【構成】 間欠スパッタ手段を用い、かつ冷却して、アモルファス金属10を形成するアモルファス金属の形成方法において、前記アモルファス金属を形成する前の反応室9の真空度を10-10Torr以下とする。
請求項（抜粋）：
間欠スパッタ手段を用い、かつ冷却して、アモルファス金属を形成するアモルファス金属の形成方法において、前記アモルファス金属を形成する反応室内の真空度を10-10Torr以下とすることを特徴とするアモルファス金属の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C23C 14/14
, C23C 14/34
, H01L 21/203
