特許

J-GLOBAL ID：200903056556223565

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 望月 康弘 ,  岡田 亘右
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-054150
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波励起のプラズマを用いたCVD等の薄膜形成加工のプロセスにおいて、均一性・再現性が良くかつ制御性が優れた大面積の基板の処理方式を提案する。【解決手段】基板の表面の複数の個所の膜厚等の処理状態をインプロセス計測し、その計測値をフィードバックしてそれぞれの位置に対応するマイクロ波の照射強度を制御して、基板の処理量を高精度化する。【効果】大面積基板のプラズマ処理によるCVD等の薄膜加工が容易に均一性・再現性良くでき、製造プロセスの高歩留まり化及び高品位化ができる。

請求項（抜粋）：

真空反応容器内に設けられたガスノズルから供給されたガスが、該真空反応容器の周囲に設置された複数の導入口から照射されたマイクロ波と該導入口の周囲に形成された磁場により、電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを形成し、該プラズマにより真空反応容器内の支持台に設置された被処理基板の表面をプラズマ処理する方法において、予め被処理基板の表面層領域の複数の個所の処理量をモニタし、それによってそれぞれの位置に対応するマイクロ波の照射強度を制御することにより、被処理基板の表面内の処理量を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (8件)：

C23C 16/52 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

C23C 16/52 ,  C23C 14/54 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/302 B

Fターム (56件)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA35 ,  4K029BA46 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029BD08 ,  4K029CA00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC48 ,  4K029GA02 ,  4K029KA09 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA04 ,  4K030DA08 ,  4K030EA06 ,  4K030FA02 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030HA06 ,  4K030HA08 ,  4K030JA13 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA17 ,  4K030LA18 ,  4K057DA11 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DB11 ,  4K057DB15 ,  4K057DD01 ,  4K057DG20 ,  4K057DM29 ,  4K057DM36 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F045AA09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EH03 ,  5F045GB04