特許

J-GLOBAL ID：200903056559250172

光半導体装置

発明者： 足立 秀人 ,  松田 賢一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031670
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235464
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 低い印加電圧で動作することのできる垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。【構成】 GaAs基板と前記GaAs基板上にGaAs/AlAs半導体多層膜からなるp型ミラー層、In0.2Ga0.8As歪超格子からなる活性層、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるn型ミラー層がこの順序で積層されたエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の前記活性層までをエッチングすることによって形成したメサを有している。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、前記GaAs基板上に形成された、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるp型ミラー層、In0.2Ga0.8As歪超格子からなる活性層、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるn型ミラー層がこの順序で積層されたエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の前記n型ミラー層から前記活性層までをエッチングすることによって形成されたメサと、前記n型ミラー層上に形成された電極と、エッチングによって現れた前記p型ミラー層上に形成された電極を備えたことを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 面形発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-020489   出願人：日本電信電話株式会社