特許

J-GLOBAL ID：200903056563686856

半導体素子の製造方法

発明者： 呉 在 根 ,  洪 炳 渉
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329573
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184984
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 ホウ素基盤のp型ソース/ドレインの抵抗特性を向上させることのできる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板61のp型ソース/ドレイン領域にフッ素及びホウ素を含む第1ドーパントをイオン注入して、前記p型ソース/ドレイン領域に第1非晶質層を形成するステップと、前記p型ソース/ドレイン領域の前記第1非晶質層にホウ素を含む第2ドーパントをイオン注入するステップと、前記第1及び第2ドーパントの活性化のための熱処理を実施して、p型ソース/ドレイン69を形成するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板のp型ソース/ドレイン領域にフッ素及びホウ素を含む第1ドーパントをイオン注入して、前記p型ソース/ドレイン領域に第1非晶質層を形成するステップと、前記p型ソース/ドレイン領域の前記第1非晶質層にホウ素を含む第2ドーパントをイオン注入するステップと、前記第1及び第2ドーパントの活性化のための熱処理を実施して、p型ソース/ドレインを形成するステップとを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602

FI (3件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 F

Fターム (17件)：

5F140AA00 ,  5F140AA10 ,  5F140AC01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BH13 ,  5F140BH22 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CB04 ,  5F140CC07 ,  5F140CC20