特許

J-GLOBAL ID：200903056575478140

軟磁性薄膜

発明者： 庄子 光治 ,  香取 健二 ,  大森 広之 ,  林 和彦 ,  阿蘇 興一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205996
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047551
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 アニール処理をしなくとも低い保磁力を示し、しかも耐熱性に優れ高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。【構成】 Fe-Al-Si合金膜に、適量の窒素、酸素、炭素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、600Å以下である。また、窒素、酸素、炭素の導入量は、20原子%以下とする。

請求項（抜粋）：

(Fea Sib Alc )xNy Oz Cw 〔ただし、a,b,c,x,y,z,wは各元素の割合(原子%)を表す。〕なる組成式で表され、その組成範囲が60≦a≦900.1≦b≦250.1≦c≦2580≦x≦1000≦y≦200≦z≦200≦w≦20a+b+c=100x+y+z=100であるとともに、平均結晶粒径が600Å以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。

IPC (3件)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 41/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-109703
  
• 特開平1-220813
  
• 特開平3-001309