特許

J-GLOBAL ID：200903056578465597

磁気メモリ装置およびその製造方法

発明者： 元吉 真 ,  別所 和宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087478
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282837
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 TMR素子への磁束集中を図ってMRAMへの書き込みにかかる消費電力を低減し、配線信頼性の向上および書き込みワード線の書き込み部分に対する占有面積の拡大を抑制して高集積化を図る。【解決手段】 書き込みワード線(第1配線)11と、これと立体的に交差するビット線(第2配線)12と、書き込みワード線11と電気的に絶縁され、ビット線12と電気的に接続されたもので、その交差領域にトンネル絶縁層303を強磁性体で挟んで構成されるTMR素子13とを備えた磁気メモリ装置において、書き込みワード線11は、高融点金属よりも電気抵抗が低い金属からなる第1金属層111と高融点金属からなる第2金属層112とが積層されたもので、TMR素子13を書き込みワード線11に投影した部分の少なくとも一部は第2金属層112のみからなるものである。

請求項（抜粋）：

第1配線と、前記第1配線と立体的に交差する第2配線と、前記第1配線と電気的に絶縁され、前記第2配線と電気的に接続されたもので、前記第1配線と前記第2配線との交差領域にトンネル絶縁層を強磁性体で挟んで構成されるトンネル磁気抵抗素子とを備えたもので、前記強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶する不揮発性の磁気メモリ装置において、前記第1配線は、高融点金属よりも電気抵抗が低くかつ高融点金属以外の金属からなる第1金属層と高融点金属からなる第2金属層とが積層されたもので、前記トンネル磁気抵抗素子を前記第1配線に投影した部分の少なくとも一部は前記第2金属層のみからなることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40