特許
J-GLOBAL ID：200903056580223606
ガスソース分子線エピタキシー装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-238881
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：
【要約】【目的】 Si系半導体を製造する場合にSiがヒータ等に堆積することがなく、しかも熱効率に優れたガスソース分子線エピタキシー装置を提供する。【構成】 真空室1内に装着される基板2の周囲に、真空室1内を基板加熱スペースPと結晶成長スペースQの二空間に分ける分離板11と、上記二空間をそれぞれ別個に真空排気する真空排気手段と、基板2への加熱手段6の上部および四側方を囲う熱遮蔽板26と、上記熱遮蔽板26を基板2に対し進退させる進退手段29とを設けた。
請求項（抜粋）：
高度に真空になしうる真空室と、上記真空室内の略中央に装着される基板と、上記装着された基板の片面側から基板に輻射熱を与える加熱手段と、上記基板の他面側から基板に向かって結晶膜形成用のガスを供給するガス供給手段とを備えたガスソース分子線エピタキシー装置であって、上記基板の周囲に、真空室内を基板加熱スペースと結晶成長スペースの二空間に分ける分離板と、上記二空間をそれぞれ別個に真空排気する真空排気手段と、上記加熱手段の上部および四側方を囲う熱遮蔽板と、上記熱遮蔽板を基板に対し進退させる進退手段とを設けたことを特徴とするガスソース分子線エピタキシー装置。
IPC (3件)：
C30B 25/02
, C30B 23/08
, H01L 21/203
