磁気抵抗効果型ヘツド

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-207037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-046946
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに関し、サイドクロストークを低減して情報の誤再生を防止することを目的とする。【構成】磁気抵抗効果素子(11)に積層されたシャントバイアス層(12)の両端部分に引き出し導体層(13)を接合させて積層し、一対の磁気シールド(15a,15b)の一方(15b)に引き出し導体層(13)を対向近接させて配置する。

請求項（抜粋）：

一対の磁気シールド(15a,15b)の間に配置された強磁性体の磁気抵抗効果素子(11)にシャントバイアス層(12)を積層し、かつ該磁気抵抗効果素子(11)の両端部分に引き出し導体層(13)を積層してセンス電流を流し、少なくとも該シャントバイアス層(12)が発生する磁界により該磁気抵抗効果素子(11)にバイアス磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該磁気抵抗効果素子(11)に積層されたシャントバイアス層(12)の両端部分に引き出し導体層(13)を接合させて積層し、該一対の磁気シールド(15a,15b)の一方(15b)に該引き出し導体層(13)を対向近接させて配置したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

前のページに戻る