特許
J-GLOBAL ID：200903056585731120
半導体力学量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340391
公開番号（公開出願番号）：特開2006-153482
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 第1シリコン基板上に支持された第2シリコン基板にトレンチを形成することにより、可動電極、固定電極、および梁部を形成してなる容量式半導体加速度センサにおいて、感度が、梁部の厚さや可動電極の厚さの加工ばらつきの影響を受けにくくする。【解決手段】 第1シリコン基板11上に支持された半導体層としての第2シリコン基板12を有する半導体基板10を備え、第2シリコン基板12にトレンチ14を形成することにより変位方向Xに変位可能な錘部21および可動電極24、可動電極24と対向配置された固定電極31、41、および錘部21を変位させるための梁部22が形成されており、加速度印加時に可動電極24と固定電極31、41との間の容量変化に基づいて印加加速度を検出するようにした半導体加速度センサ100において、梁部22の厚さが可動電極24の厚さよりも大きくなっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持層(11)および前記支持層(11)上に支持された半導体層(12)を有する基板(10)を備え、
前記半導体層(12)にトレンチ(14)を形成することにより、所定方向に変位可能な錘部(21)、前記錘部(21)に連結され前記錘部(21)と一体に変位する可動電極(24)、前記可動電極(24)と対向して配置された固定電極(31、41)、および前記錘部(21)を変位させるためにバネ変形可能な梁状の梁部(22)が形成されており、
力学量が印加されたときに前記可動電極(24)と前記固定電極(31、41)との距離が変化し、この変化に伴う前記両電極(24、31、41)間の容量変化に基づいて印加力学量を検出するようにした容量式の半導体力学量センサにおいて、
前記梁部(22)の厚さh2が前記可動電極(24)の厚さh1よりも大きくなっていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P15/125 Z
, H01L29/84 Z
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA08
, 4M112DA09
, 4M112DA15
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA20
, 4M112GA03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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