特許

J-GLOBAL ID：200903056608722409

CVD装置

発明者： 沢田 等
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084109
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273052
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 TEOS気化器を別ユニットとして使用する必要のない新規なCVD装置を提供する。【構成】 反応室を有し、該反応室内に、ウエハを載置し、加熱するためのサセプタと、該サセプタに対峙する上部電極を有するCVD装置において、前記上部電極は、高周波電源に接続され、内部にガス導入路を有する中空状の金属製電極板と、該金属製電極板の下端周面と当接する微小な貫通孔が多数配設されたシャワー電極とからなり、前記金属製電極板の中空部には液状TEOS気化手段が配設され、該気化手段の上面に液状TEOSを滴下させるTEOS供給管が設けられていることを特徴とするCVD装置。

請求項（抜粋）：

反応室を有し、該反応室内に、ウエハを載置し、加熱するためのサセプタと、該サセプタに対峙する上部電極を有するCVD装置において、前記上部電極は、高周波電源に接続され、内部にガス導入路を有する中空状の金属製電極板と、該金属製電極板の下端周面と当接する微小な貫通孔が多数配設されたシャワー電極とからなり、前記金属製電極板の中空部には液状TEOS気化手段が配設され、該気化手段の上面に液状TEOSを滴下させるTEOS供給管が設けられていることを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31