特許
J-GLOBAL ID：200903056609095815
液相エピタキシャル成長方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315069
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139393
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：
【要約】【課題】 冷却部を用いずに溶液に均一な温度差を付ける。【解決手段】 石英管21は、円筒状を成して縦方向に立設され、外周面の軸方向上側を軸方向に所定の長さを有する高温側ヒータ22で加熱され、軸方向下側を軸方向に所定の長さを有する低温側ヒータ23で加熱される。その結果、石英管21内の雰囲気には上下に温度差Δt°Cを有する2つの均熱ゾーンが形成される。ボート24は、半導体基板35および溶液42を搭載して回転箱25の回転に伴って自公転し、溶液42および半導体基板35を水平方向に万遍なく連続的に移動させる。こうして、溶液42および半導体基板35が受ける雰囲気温度分布の影響を平均化させる。したがって、溶液42の上下に均一な温度差を付けることができ、石英管21の下部を吸熱する冷却部を設置する必要がなく、成長炉の構成が複雑になることはない。
請求項（抜粋）：
縦型反応炉内で、水平にセットされた半導体基板上に結晶成長溶液を被せたり拭い取ったりするメルトワイプ式の液相エピタキシャル成長方法であって、上記縦型反応炉の上側を、縦方向に所定長さを有する高温加熱ヒータで加熱して、上記縦型反応炉内雰囲気の上側に所定温度の高温均熱ゾーンを形成し、上記縦型反応炉の下側を、縦方向に所定長さを有する低温加熱ヒータで加熱して、上記縦型反応炉内雰囲気における上記高温均熱ゾーンに隣接した下側に上記所定温度よりも低い所定温度の低温均熱ゾーンを形成し、上記両均熱ゾーンの境界における温度勾配によって上記結晶成長溶液の上下に均一な温度差を付け、上記結晶成長溶液の上下に付けられた均一な温度差を利用して上記半導体基板上に結晶を成長させることを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
Fターム (3件)：
4G077CG01
, 4G077EG14
, 4G077EG18
出願人引用 (3件)
-
特開平1-179792
-
特開平2-022194
-
特開2047-008698
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
