特許
J-GLOBAL ID:200903056610750177
Agろう
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-199181
公開番号(公開出願番号):特開平6-015477
出願日: 1992年07月02日
公開日(公表日): 1994年01月25日
要約:
【要約】【目的】 加工性が良く、ろう付け温度が低く、AgPd膜、Au膜等の回路パターンと金属の基板及び前記回路パターンとセラミックスの基板と良好にろう付けできて、接合強度を高くできるAgろうを提供する。【構成】 In5〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。In5〜30wt%、Cu10〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。前記両Agろうのいずれに於いて、Ti 0.2〜5wt%添加されているAgろう。
請求項(抜粋):
In5〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。
IPC (2件):
B23K 35/30 310
, C22C 5/06
引用特許:
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