特許
J-GLOBAL ID：200903056615076865
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-318753
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162460
出願日： 1995年12月07日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 微小磁界で大きな磁気抵抗変化が生じる磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッドを可能とする。【解決手段】 図1(a)に示すように半導体ヘテロ構造界面の高移動度電子輸送部の両端に硬質磁性膜と軟磁性膜を設け、検知すべき磁界を軟磁性膜に印加して磁化反転をおこし、一方向に磁化された硬質磁性膜との磁化方向が平行か反平行かで抵抗が変化することを利用した磁気抵抗効果素子。更に図(b)に示すようにヨ-クを設けることにより磁気媒体からの微小信号磁界を検知する磁気抵抗効果型ヘッドが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体ヘテロ構造界面に形成された移動度の高い電子輸送部と、この両端の一方に設けられた一方向に磁化された磁化曲線が角型性の良好な金属硬質磁性膜、及び他方に設けられた磁界検知用金属軟磁性膜、更に上記金属硬質磁性膜と金属軟磁性膜それぞれに設けられた抵抗変化検出用電極部より成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/10
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/10
