マスクパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110705
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】EUVリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。【解決手段】多層膜をコーテイングした下地基板上のマスクパターン材料と、該マスクパターン材料をプラズマ・ドライエッチングで加工する際に用いられる反応ガスとを、プラズマ・ドライエッチング時に生成される反応生成物の少なくとも一種が室温又はプラズマ・ドライエッチング中に昇温した基板温度において固相になるごとく組み合わせて構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

紫外線を光源としてマスク上を照明し、得られるマスク反射光をミラーを含む光学系を介してウェハ上に投影露光せしめるリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、該マスクの下地基板が熱伝導性の低い材料からなるとともに、該下地基板上のマスクパターン材料と、該マスクパターンをドライエッチングで加工する際に用いられる反応ガスとを、該ドライエッチング時に生成される反応生成物の少なくとも一種が室温ないしは該ドライエッチング中に昇温した基板温度において固相になるごとく組み合わせて構成したことを特徴とするマスクパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 1/14 , G03F 7/20 502

FI (4件)：

G03F 1/08 G , G03F 1/14 F , G03F 7/20 502 , H01L 21/30 531 M

Fターム (11件)：

2H095BA07 , 2H095BB17 , 2H095BC05 , 2H095BC13 , 2H097AA02 , 2H097CA13 , 2H097GB01 , 2H097LA10 , 5F046GD01 , 5F046GD10 , 5F046GD15

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