特許

J-GLOBAL ID：200903056619283881

パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-049349
公開番号（公開出願番号）：特開2005-241795
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 現像時の溶液によるレジストパターンに対する表面張力を十分に低減して、微細化されたレジストパターンのパターン倒れを防止できるようにする。 【解決手段】 基板101上に、界面活性剤を含むレジスト膜102を形成し、形成されたレジスト膜102に露光光103をマスク104を介して照射してパターン露光を行なう。続いて、パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して現像を行ない、現像が行なわれたレジスト膜102を界面活性剤を含む水溶液107でリンスすることにより、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、界面活性剤を含むレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、 パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なう工程と、 現像が行なわれた前記レジスト膜を界面活性剤を含む水溶液でリンスすることにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F7/32 ,  B05D3/10 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (7件)：

G03F7/32 501 ,  B05D3/10 F ,  G03F7/004 504 ,  H01L21/30 569F ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 564Z ,  H01L21/30 569E

Fターム (38件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CC04 ,  2H025FA01 ,  2H025FA28 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096HA30 ,  4D075BB42Y ,  4D075BB48Y ,  4D075BB65Z ,  4D075BB79Z ,  4D075BB94Y ,  4D075CA47 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC21 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4D075EB20 ,  4D075EC35 ,  5F046JA01 ,  5F046JA22 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18