特許

J-GLOBAL ID：200903056627153830

磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ

発明者： 道嶋 正司 ,  林 秀和 ,  南方 量二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-045447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237470
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 従来の積層して高感度化を図った磁気トンネル接合(MTJ)素子ではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。【解決手段】 積層したMTJ素子1のメモリ層となる強磁性層14の上に閉磁路層16を設け、両端部において金属層15、15 ́を介して強磁性層14と閉磁路層16を接合し、かつ中央部においては離間させる。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1磁性層、第1絶縁層、第2磁性層、第2絶縁層、第3磁性層を積層する磁気トンネル接合素子であって、前記第2磁性層の前記第1絶縁層積層側または前記第2絶縁層積層側のいずれかに、金属層を介するとともに中央部を離間して第4磁性層を設け、前記第2磁性層及び第4磁性層により閉磁路を構成したことを特徴とする磁気トンネル接合素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R

Fターム (12件)：

2G017AA01 ,  2G017AD51 ,  2G017AD69 ,  2G017CB26 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA18 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12