特許

J-GLOBAL ID：200903056628513423

勾配磁場発生方法及びMRI装置

発明者： 佐藤 和彦 ,  宇野 英明
出願人/特許権者： ジーイー横河メディカルシステム株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195563
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056917
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】【目的】 MRI装置での勾配磁場コイルの温度上昇に応じて最適なシーケンスパラメータを決定出来るようにした勾配磁場発生方法及びMRI装置を実現する。【構成】 勾配磁場コイルの温度を検出する温度検出部41と、MRIのスキャンためのスキャンテクニックが設定されるスキャンテクニック設定部11と、スキャンテクニック設定部により設定されたスキャンテクニック及び温度検出部で検出された勾配磁場コイルの温度を参照してスキャン終了時の勾配磁場コイルの温度を予想する温度予想部21と、この温度予想部により予想されたスキャン終了時の勾配磁場コイルの温度を参照して、勾配磁場コイルの立ち上がり特性を求め、この立ち上がり特性を参照してシーケンスパラメータを最適化するシーケンスパラメータ算出部23と、シーケンスパラメータ算出部により最適化されたシーケンスパラメータに従って勾配磁場コイルに電力を供給する勾配磁場電源30と、を備えたことを特徴とするMRI装置。

請求項（抜粋）：

勾配磁場コイルの温度を検出し、設定されたスキャンテクニック及び検出された勾配磁場コイルの温度を参照してスキャン終了時の勾配磁場コイルの温度を予想し、予想されたスキャン終了時の勾配磁場コイルの温度を参照して、勾配磁場コイルの立ち上がり特性を求め、求められた立ち上がり特性を参照してシーケンスパラメータを最適化し、最適化されたシーケンスパラメータに従って勾配磁場コイルに電力を供給することを特徴とする勾配磁場発生方法。

IPC (3件)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/385 ,  G01R 33/20

FI (4件)：

A61B 5/05 341 ,  A61B 5/05 360 ,  G01N 24/06 510 Y ,  G01R 33/22