特許
J-GLOBAL ID:200903056632108843
エピタキシャル基板および半導体素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-005671
公開番号(公開出願番号):特開2006-196623
出願日: 2005年01月12日
公開日(公表日): 2006年07月27日
要約:
【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】ショットキダイオード11では、p型の窒化ガリウム支持基体13は、第1の面13aと第1の面の反対側の第2の面13bとを有しており、1×1017cm-3を超えるキャリア濃度を示す。p型の窒化ガリウムエピタキシャル層15は、第1の面13a上に設けられている。オーミック電極17は、第2の面13b上に設けられている。ショットキ電極19は、窒化ガリウムエピタキシャル層15に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層15の厚さD1は5マイクロメートル以上1000マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層15のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1017cm-3以下である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
1×1017cm-3を超えるキャリア濃度を有しており第1の面と前記第1の面の反対側の第2の面とを持つp型のAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなるIII族窒化物自立基板と、
前記第1の面上に設けられた第1のIII族窒化物エピタキシャル膜と
を備え、
前記第1のIII族窒化物エピタキシャル膜の厚さは、5マイクロメートル以上1000マイクロメートル以下であり、
前記第1のIII族窒化物エピタキシャル膜のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1017cm-3以下である、エピタキシャル基板。
IPC (8件):
H01L 29/872
, H01L 29/47
, H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/739
, H01L 21/336
, H01L 29/861
, H01L 29/201
FI (10件):
H01L29/48 D
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652G
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 655C
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658A
, H01L29/91 D
, H01L29/203
, H01L29/91 F
Fターム (12件):
4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104CC05
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104GG08
, 4M104GG18
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