半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049426
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101391
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 dv/dt過渡信号が時間差を有して与えられた場合でも、パワーデバイスの誤動作を防止できるレベルシフト回路を提供する。【解決手段】高電位側パワーデバイス駆動回路HD1は、NMOSトランジスタ24および25を駆動させるために、一定の周期Tでパルスを出力することで、いわゆる内部クロック信号を生成するクロック信号発生回路16と、クロック信号発生回路16の出力信号S10に同期して外部からの入力信号S1の状態を監視し、接地電位を基準として発生されたパルス状の入力信号S1を受け、パルス状のオン信号S2およびオフ信号S3を発生させる反復パルス発生回路17とを有している。

請求項（抜粋）：

直列に接続され、高電位の主電源電位と低電位の主電源電位との間に介挿された第1および第2のスイッチングデバイスの駆動制御を行う半導体装置であって、前記第1および第2のスイッチングデバイスのうち、高電位側スイッチングデバイスの導通/非導通を制御する制御部と、前記高電位側スイッチングデバイスの導通を示す第1状態および前記高電位側スイッチングデバイスの非導通を示す第2状態を有する第1の入力信号の、前記第1および第2状態に対応して、第1および第2の反復パルス信号を発生するパルス発生部と、前記第1および第2の反復パルス信号を、高電位側へとレベルシフトして、それぞれ第1および第2のレベルシフト済み反復パルス信号を得るレベルシフト部と、を備え、前記制御部は、前記第1および第2のレベルシフト済み反復パルス信号に基づいて、それぞれ、前記高電位側スイッチングデバイスを導通または非導通させる制御信号を前記高電位側スイッチングデバイスに出力する、半導体装置。

IPC (5件)：

H03K 17/08 , H02M 1/08 , H02M 1/08 341 , H03K 17/56 , H03K 19/0175

FI (5件)：

H03K 17/08 Z , H02M 1/08 A , H02M 1/08 341 A , H03K 17/56 Z , H03K 19/00 101 F

Fターム (39件)：

5H740AA04 , 5H740BA11 , 5H740BB01 , 5H740KK01 , 5J055AX32 , 5J055BX16 , 5J055CX20 , 5J055DX09 , 5J055DX73 , 5J055EX03 , 5J055EX07 , 5J055EY01 , 5J055EY12 , 5J055EY21 , 5J055EZ07 , 5J055EZ20 , 5J055EZ25 , 5J055EZ27 , 5J055EZ28 , 5J055EZ32 , 5J055EZ50 , 5J055EZ66 , 5J055FX18 , 5J055GX01 , 5J055GX02 , 5J055GX04 , 5J056AA11 , 5J056BB44 , 5J056CC05 , 5J056CC14 , 5J056CC15 , 5J056CC16 , 5J056CC21 , 5J056DD12 , 5J056DD39 , 5J056DD55 , 5J056FF07 , 5J056GG14 , 5J056KK01

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