特許
J-GLOBAL ID：200903056636267997
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225363
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086637
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 層数の多い多重量子井戸活性層においてもキャリアを均一に注入し、発光効率が十分に高く、製造方法も簡単な優れた黄色、緑色の面発光型LEDを提供すること。【構成】 n-GaAs基板11と、この基板11上に形成された多重量子井戸活性層15をn型クラッド層14及びp型クラッド層16で挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上に形成されたp-GaAlAs電流拡散層18と、この電流拡散層18の一部に形成されたp側電極21と、半導体基板11の裏面側に形成されたn側電極22とを具備したLEDにおいて、多重量子井戸活性層15の井戸層とバリヤ層の厚さを、電子の注入側から正孔の注入側に向かって井戸層の量子準位が大きくなるように、活性層15の積層方向に対して徐々に可変したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された、多重量子井戸活性層を第1導電型及び第2導電型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上に形成された第2導電型の電流拡散層と、この電流拡散層上の一部に形成された第1の電極と、前記半導体基板の裏面側に形成された第2の電極とを具備してなり、前記多重量子井戸活性層は、電子の注入側から正孔の注入側に向かって井戸層の量子準位を大きくしてなることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
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