特許
J-GLOBAL ID：200903056639205437
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145009
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014851
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】簡単な構造でゲート・ドレイン間の耐圧を高くすることができる電界効果トランジスタを提供すること。【構成】主表面の断面が原子単位の階段状となっている半絶縁性化合物半導体の基板、主表面上に積層され断面を原子単位の階段状とするN型化合物半導体層、N型化合物半導体層に対してオーミック性を有するソース電極及びドレイン電極、ソース電極とドレイン電極の間のN型化合物半導体層に接触してショットキー障壁を形成するゲート電極、を具備し、ゲート電極とドレイン電極を第一結晶面と第二結晶面とが接して形成されるエッジに交差する方向に配置することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
面方位の異なる第一結晶面と第二結晶面とが接してその主表面の断面が原子単位の階段状となっている半絶縁性化合物半導体の基板と、前記主表面上にその断面を原子単位の階段状として積層されるN型化合物半導体層と、前記N型化合物半導体層上に形成され、前記N型化合物半導体層に対してオーミック性を有するソース電極と、前記N型化合物半導体層上に形成され、前記N型化合物半導体層に対してオーミック性を有するドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記N型化合物半導体層に接触してショットキー障壁を形成するゲート電極と、を具備し、前記ゲート電極と前記ドレイン電極を前記第一結晶面と前記第二結晶面とが接して形成されるエッジに交差する方向に配置することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 21/20
, H01L 29/812
