複合制御型半導体装置及びそれを使用した電力変換装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283702
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】高耐圧でオン電圧の低くい改良された複合制御型半導体装置を提供する。【構成】複数個のp型の第3の半導体層15の間のn型の第1の半導体層13にp型の第5の半導体層17を設け、オン状態において第1の半導体層13全領域で電導度変調が生じるようにした。【効果】オン状態において第1の半導体層13全領域で電導度変調が生じるようにしたので、オン電圧が低くなり、高耐圧低損失のIGBTを実現できる。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有し、一方の主表面に隣接する第1の半導体層、第1の半導体層及び他方の主表面に隣接し第1の半導体層より高不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体層、一方の主表面から第2の半導体層内に延び第2の半導体層より高不純物濃度を有する第2導電型の複数個の第3の半導体層、一方の主表面から各第3の半導体層内に延び第3の半導体層より高不純物濃度を有する第1導電型の複数個の第4半導体層、第3の半導体層相互間に位置し一方の主表面から第1の半導体層内に延び第1の半導体層より高不純物濃度を有する第2導電型の第5の半導体層を具備する半導体基体と、半導体基体の他方の主表面において、第2の半導体層にオーミック接触する第1の主電極と、半導体基体の一方の主表面において、第3の半導体層及び第4の半導体層にオーミック接触する第2の主電極と、半導体基体の一方の主表面において、第1の半導体層、第3の半導体層及び第4の半導体層上に絶縁膜を介して載置される制御電極と、半導体基体の一方の主表面において、第5の半導体層にオーミック接触する補助電極とを備え、オン状態において、第1の電極と第2の主電極との間には第3の半導体層と第4の半導体層との間の接合を順バイアスする極性の電位が、第2の主電極と制御電極との間には制御電極直下の第3の半導体層表面にチャネル領域を形成するに十分な値と極性を有する電位が、第2の主電極と補助電極との間には第5の半導体層と第1の半導体層との間の接合を順バイアスする極性の電位が、第1の主電極と補助電極との間には第1の半導体層と第2の半導体層との間の接合を順バイアスする極性の電位がそれぞれ付与されることを特徴とする複合制御型半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭57-147281
特開平3-023675
特開平3-106217

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