半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264642
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112548
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】Au/Si共晶による接合箇所においてシリコンの表面に形成される自然酸化膜による不具合を解消することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面にセンサ素子Es が形成されるとともに、シリコン基板1の表面においてセンサ素子Es に対し空隙をもって覆うキャップ22が設けられている。キャップ22には環状の脚部23が設けられ、キャップ22の下面にはチタン薄膜24、金薄膜25、金薄膜26、チタン薄膜27、金薄膜28が積層されている。キャップ22側の脚部23の先端面(下面)とP型シリコン基板1側のSi接合枠21とは、Au/Si共晶体29にて接合され、Au/Si共晶体29はシリコン酸化物を還元する金属であるチタンの酸化物を含有している。

請求項（抜粋）：

第1の基板と第2の基板とが対向配置され、両基板が、第1の基板でのシリコン部と第2の基板での金薄膜部とのAu/Si共晶体にて接合された半導体装置において、前記Au/Si共晶体に、シリコン酸化物を還元する金属の酸化物が含有されてなる半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/84 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 29/84 C , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-162984
特開昭54-162984
特開昭60-088479

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