特許
J-GLOBAL ID:200903056646301310

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-085021
公開番号(公開出願番号):特開平8-288455
出願日: 1995年04月11日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】 放熱効率が良く多品種少量生産に適した半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 本発明は回路基板2上に一のベアチップである第1ベアチップ10を固定用樹脂3を介して接続した後、第1ベアチップ10と回路基板2上の回路とをボンディングワイヤー4で接続し、この第1ベアチップ10上に絶縁部材である絶縁用樹脂5および固定用樹脂3を介して他のベアチップである第2ベアチップ20を接続する。その後、第2ベアチップ20と回路基板2上の回路とをボンディングワイヤー4で接続する半導体装置1およびその製造方法である。
請求項(抜粋):
回路基板上に複数のベアチップが立体的に実装されて成る半導体装置であって、前記回路基板上に実装される一のベアチップと、前記一のベアチップと前記回路基板上の回路との電気的な接続を行う一のボンディングワイヤーと、前記一のベアチップ上に絶縁部材を介して接続される他のベアチップと、前記他のベアチップと前記回路基板上の回路との電気的な接続を行う他のボンディングワイヤーとを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/52
FI (3件):
H01L 25/08 B ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 23/52 C

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