特許

J-GLOBAL ID：200903056647441581

化合物半導体の製造方法

発明者： 上野 昌紀 ,  元木 健作
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162639
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359198
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 GaN単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することを目的とする。【解決手段】 本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第1ガス雰囲気下でGaN単結晶基板2を加熱する第1加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第2ガス雰囲気下でGaN単結晶基板2を加熱する第2加熱工程と、GaN単結晶基板2上に窒化物系化合物半導体層3を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。

請求項（抜粋）：

GaN単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体の製造方法において、少なくとも水素ガスを含む第1ガス雰囲気下で前記GaN単結晶基板を加熱する第1加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第2ガス雰囲気下で前記GaN単結晶基板を加熱する第2加熱工程と、前記GaN単結晶基板上に前記窒化物系化合物半導体層を形成するエピタキシャル成長工程とを含む化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (42件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045DP04 ,  5F045DP05 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045EE14 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045HA06 ,  5F045HA22 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-267899   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052656   出願人：住友電気工業株式会社