磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気ヘッド、メモリー装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-150962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332781
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】複雑な高スピン分極材料を用いて、磁気抵抗効果の大きく、かつ容易に製造可能な高効率のトンネル磁気抵抗素子を実現すること。【解決手段】素子を、基体上に任意方位で成長した磁性層と、基体と磁性層の間に他の層(方位変換層)を挿入して前記方位とは異なる方位で成長した磁性層とで構成し、両磁性層の間の粒界を横切る経路の電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。方位変換層のパターン形状は自在に設定することができるので、接合部配置を自由に採ることができる。また方位変換層を挿入するだけで粒界接合が実現できるので、複雑な高スピン分極材料の場合にも作製が容易であり、優れた磁気抵抗素子を安定に提供できる。

請求項（抜粋）：

基体上に任意方位で成長した磁性層と、基体と磁性層の間に他の層(方位変換層)を挿入して前記方位とは異なる方位で成長した磁性層とで構成され、両磁性層の間の粒界を横切る経路の電気抵抗を、外部磁界により制御してなる磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01L 43/10

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01L 43/10

Fターム (10件)：

5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA16 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA12 , 5E049CB01 , 5E049DB02

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