特許

J-GLOBAL ID：200903056651267685

半導体モジュールおよびその製造方法

発明者： 岡本 健次 ,  岡村 誠 ,  内田 真治
出願人/特許権者： 富士電機機器制御株式会社
代理人 (1件)： 森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170395
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005638
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】コスト上昇を抑えつつ放熱特性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】パワー半導体2または駆動IC3等の回路素子をボンディングワイヤ4,5によりリードフレーム1の回路パターンに接続して成形樹脂6で覆い、この成形樹脂6の反対面に、セラミックス絶縁層7を形成した半導体モジュール100とした。また、セラミックス絶縁層7をプラズマ溶射法・コールドスプレーにより形成する半導体モジュール100の製造方法とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

1または複数の回路素子を搭載し、樹脂封止してなる半導体モジュールにおいて、 前記回路素子を搭載するリードフレームと、 前記回路素子および前記リードフレームの回路素子搭載面を少なくとも封止する樹脂と、 少なくとも前記リードフレームの回路素子非搭載面に直接形成したセラミックス絶縁層と、 を備えることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (4件)：

H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/36 M ,  H01L25/04 C

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD13 ,  5F036BD14 ,  5F036BE01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-042695   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-332155