半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松山允之 , 池上徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-162676
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004495
出願日： 2007年06月20日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】CMIS構造の半導体装置において、n型およびp型MISEFETの界面抵抗を低減する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体領域上にn型MISFETのゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、第2の半導体領域上にp型MISFETのゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、第1の半導体領域にAsをイオン注入して、n型拡散層を形成し、第1の半導体領域上にNiを含む第1の金属を堆積した後、第1の熱処理によって第1のシリサイド層を形成し、第1のシリサイド層上および第2の半導体領域上に、Niを含む第2の金属を堆積した後、第2の熱処理によって、第1のシリサイド層を厚膜化するとともに、第2のシリサイド層を形成し、第2のシリサイド層にBまたはMgをイオン注入した後、第3の熱処理を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にn型MISFETとp型MISFETを有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の第1の半導体領域上に前記n型MISFETのゲート絶縁膜を形成し、前記半導体基板の第2の半導体領域上に前記p型MISFETのゲート絶縁膜を形成し、前記n型MISFETのゲート絶縁膜上に前記n型MISFETのゲート電極を形成し、前記p型MISFETのゲート絶縁膜上に前記p型MISFETのゲート電極を形成し、前記第1の半導体領域にAsをイオン注入して、n型拡散層を形成し、前記第1の半導体領域上にNiを含む第1の金属を堆積した後、第1の熱処理によって前記第1の半導体領域をシリサイド化して第1のシリサイド層を形成し、前記第1のシリサイド層上および前記第2の半導体領域上に、Niを含む第2の金属を堆積した後、第2の熱処理によって、前記第1の半導体領域をシリサイド化して前記第1のシリサイド層を厚膜化するとともに、前記第2の半導体領域をシリサイド化して第2のシリサイド層を形成し、前記第2のシリサイド層にBまたはMgをイオン注入した後、第3の熱処理を加える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (9件)：

H01L27/08 321F , H01L27/08 321C , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/78 613A , H01L29/78 616K , H01L29/78 616V , H01L29/78 618C , H01L29/78 616L

Fターム (67件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB21 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD82 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F048AA00 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BB02 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD01 , 5F048BD06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F048DA27 , 5F110AA07 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ22 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110NN62 , 5F110QQ19

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