特許
J-GLOBAL ID：200903056652638172
微小電界放出冷陰極とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137058
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349402
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】微電界放出冷陰極のゲート電極と基板間の寄生容量を抑制し、陰極を高周波動作させる。【構成】エミッタ先端に高電界を印加するゲート電極とゲート電極・基板間の絶縁を保持する絶縁層の間に、エミッタが位置する穴の外周部以外の場所に絶縁層と異なる材質の絶縁層もしくは空隙を形成することにより、ゲート電極のエミッタ周辺部以外の部分と基板間の距離を大きくする。
請求項（抜粋）：
導電性基板もしくは表面に導電層を有する絶縁性基板上に1つもしくは複数の先端の尖ったエミッタと前記エミッタの先端を取り囲む開口部を有するゲート電極と前記基板と前記ゲート電極間に絶縁層を有する微小電界放出冷陰極において、前記ゲート電極は前記開口部が前記絶縁層と接しており、かつ前記開口部を除いて前記ゲート電極と前記絶縁層間に前記絶縁層とはエッチングレートの異なる第2の絶縁層を有することを特徴とする微小電界放出冷陰極。
IPC (2件)：
引用特許：
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