特許
J-GLOBAL ID：200903056653020717
突入電流防止回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-005937
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】突入電流防止回路において、直流電源から負荷回路のコンデンサ等への突入電流を所定時間のみ抑制する機能と、入力電源から負荷への回路を遮断するスイッチ機能を備えた回路を提供する。【構成】直流電源1からコンデンサ入力の負荷3への突入電流を制限する抵抗6と、この抵抗と直流電源1との間に直列接続されるゲートG1を有する第1の半導体素子4と、直列接続された抵抗6と第1の半導体素子4と並列に接続されゲートG1Aを有する第2の半導体素子5Aと、ゲートG1およびG1Aへ制御信号を供給するバイアス回路12とを有し、このバイアス回路が接地電位を出力すると第1の半導体素子のゲートG1を制御してほぼ導通状態にし、G1Aへの制御信号を定電流素子8を通して第2の半導体素子5のゲートG1AをG1への制御信号より所定の遅延時間を保持して制御して導通状態にする。
請求項（抜粋）：
直流電源からコンデンサ入力等の負荷への突入電流を制限する抵抗と、この抵抗と前記直流電源との間に直列接続される外部からの第1の制御信号を入力するゲートを有する第1の半導体素子と、直列接続された前記抵抗と前記第1の半導体素子と並列に接続され外部からの第2の制御信号を入力するゲートを有する第2の半導体素子と、前記第1および第2の制御信号を供給するバイアス回路とを有し、前記バイアス回路が前記第1および第2の制御信号である接地電位を出力すると前記第1の半導体素子のゲートを制御して導通状態にし、前記第2の制御信号を定電流素子を通して前記第2の半導体素子のゲートを前記第1の制御信号より所定の遅延時間を保持して制御し、導通状態にすることを特徴とする突入電流防止回路。
IPC (4件)：
G05F 1/10 304
, H02H 9/02
, H02M 1/16
, H02M 3/00
