特許

J-GLOBAL ID：200903056653551526

酸化タンタル薄膜の製造方法

発明者： 鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  澁谷 宗裕 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306775
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163527
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 Ta系原料ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを用いた気相成長による酸化タンタル薄膜の製造方法において、膜形成後に酸化性雰囲気で熱処理することにより、高耐圧、低リーク電流など絶縁性に優れた酸化タンタル薄膜を形成する。【構成】 酸化タンタル薄膜は、例えば減圧CVD法などにより、400°Cに加熱されたSiなどの基体3上に、Ta(OC2 H5 )5 などのTa系原料ガスを流量制御されたHeなどの不活性ガスによりバブリングして真空槽1内に導入し、気相中で分解させ、酸素、オゾンの混合ガスと反応させて薄膜形成した後、酸素などの酸化性ガス雰囲気にて450〜600°Cの比較的低温で熱処理することにより、絶縁性に優れた特性のものを形成する。

請求項（抜粋）：

真空槽内に基体を設置し、前記真空槽内にTa系原料ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを導入し、外部よりエネルギーを印加して前記原料ガスを分解することにより前記基体上に酸化タンタル薄膜を気相成長させる酸化タンタル薄膜の製造方法において、膜形成後に酸化性雰囲気で熱処理を施す工程を含むことを特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-283022
  
• 特開平4-199828
  
• 特開昭64-050428
  
• 特開平4-188729